科众陶瓷厂之前带大家了解了什么是氮化铝陶瓷片，不知道大家是否清楚了一些呢，接下来让我们一起了解下氮化铝陶瓷片有什么优势呢？
氮化铝陶瓷片的优势：
氮化铝陶瓷片的优势：
1、氮(dan)(dan)化铝粉末纯度高，粒径小，活性大，是制造高导热氮(dan)(dan)化铝陶(tao)瓷基片的(de)主要原料(liao)。
2、氮化铝(lv)陶瓷基片，热导率(lv)高，膨(peng)胀系数低，强(qiang)度高，耐高温，耐化学腐蚀，电(dian)阻(zu)率(lv)高，介(jie)电(dian)损耗(hao)小，是理想的大规模集成电(dian)路散热基板(ban)和封(feng)装材(cai)料。
3、氮化铝陶瓷(ci)片硬度高,超(chao)过传统陶瓷(ci),是(shi)新型的耐(nai)磨陶瓷(ci)材(cai)料,但由于(yu)造价高,只能用(yong)于(yu)磨损(sun)严重(zhong)的部位.
4、利用AIN陶瓷耐(nai)热(re)耐(nai)熔体侵蚀(shi)和热(re)震性，可制作GaAs晶体坩埚、Al蒸发皿(min)、磁(ci)流体发电装置及高温透(tou)平(ping)机耐(nai)蚀(shi)部(bu)件(jian)，利用其光(guang)学性能可作红外线窗口(kou)。氮化(hua)铝薄膜可制成高频压电元件(jian)、超大规模(mo)集成电路基片等。
5、氮化铝电子陶瓷片耐热、耐熔融金属的侵蚀，对酸稳定，但在碱性溶液中易被侵蚀。AIN新生表面暴露在湿空气中会反应生成极薄的氧化膜。 陶瓷注塑利用此特性，可用作铝、铜、银、铅等金属熔炼的坩埚和烧铸模具材料。AIN陶瓷的金属化性能较好，可替代有毒性的氧化铍瓷在电子工业中广泛应用。
氮化铝陶瓷片
氮化铝半导体陶瓷片性能指标：
(1)热导率高(gao)(约320W/m·K)，接近BeO和SiC，是Al2O3的(de)5倍以上；
(2)热(re)膨胀系(xi)数(4.5×10-6℃)与Si(3.5-4×10-6℃)和GaAs(6×;10-6℃)匹配；
(3)各种(zhong)电(dian)(dian)性能(介(jie)电(dian)(dian)常数、介(jie)质损耗、体(ti)电(dian)(dian)阻率(lv)、介(jie)电(dian)(dian)强度)优良(liang)；
(4)机械(xie)性能好(hao)，抗(kang)折强(qiang)度高于Al2O3和BeO陶瓷，可以常压烧结(jie)；
(5)光传输(shu)特性好；
(6)无毒(du)；
由于具有优良的热、电、力学性能。氮化铝陶瓷引起了国内外研究者的广泛关注，随着现代科学技术的飞速发展，对所用材料的性能提出了更高的要求。氮化铝陶瓷也必将在许多领域获得更为广泛的应用！科众陶瓷厂作为工业陶瓷厂家可按客户图纸定制多种尺寸多种材料不仅仅是氮化铝材料的陶瓷片。
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本文“氮化铝陶瓷片的优势介绍你所不知道的(图）”由科众陶瓷编辑整理，修订时间：2020-10-31 14:38:54
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