氧化铝陶瓷棒氧化锆陶瓷棒等(deng)离子烧结(jie)方法主要通过压力、温度和时(shi)间几个(ge)参数(shu)控制(zhi)烧结(jie)过程。

　　在升(sheng)温烧结过程中，加热升(sheng)温是(shi)依靠发热体对样本(ben)的对流、辐(fu)射加热，因此升(sheng)温速率一般较慢。

　　由于(yu)快速升(sheng)温(wen)(wen)(wen)对(dui)烧结和显微结构的发(fa)展(zhan)有(you)利，人们(men)一(yi)直试图获得极高(gao)的升(sheng)温(wen)(wen)(wen)速率(lv)。而高(gao)速升(sheng)温(wen)(wen)(wen)的实现(xian)用常规(gui)的电加热(re)法(fa)(fa)是无法(fa)(fa)实现(xian)的。等离子体加热(re)可获得电加热(re)法(fa)(fa)所无法(fa)(fa)达到的极高(gao)的升(sheng)温(wen)(wen)(wen)速率(lv)。

　　等离子体加热原理。所谓等离子体烧结是指利用气体放电时形成的高温和电子能量以及可控气氛对陶瓷棒材料进(jin)行烧结。由于(yu)等(deng)离子(zi)体瞬间即可(ke)达到高温，因而其升(sheng)温速率可(ke)达1000℃/min以上，所以等(deng)离子(zi)体烧结技术(shu)(shu)是一种比(bi)较新的实(shi)验室用无压快速高温烧结技术(shu)(shu)。

　　这一方法于(yu)1968年被首次用于(yu)A1203陶瓷的(de)(de)烧(shao)结，经过(guo)这么多年的(de)(de)发展，这种方法现已(yi)成(cheng)功地用于(yu)各种精细陶瓷，如AI23、Y23Zr2、Mg0、SiC等的(de)(de)烧(shao)结。