氧化锆陶瓷的密度为6.05g/m3左右，但其实它不是一个固定值，它的密度随着烧结温度的变化会有轻微改变，下面科众陶瓷厂给大家详细分析一下。

密(mi)度(du)与晶粒的变化(hua)是烧(shao)结过程中最基(ji)本的变化(hua)。图3－10是材料(liao)相对密(mi)度(du)与烧(shao)结温度(du)的关系(xi)。从图3－10可(ke)见，和普通陶(tao)瓷一(yi)样，纳米Y－TZP陶(tao)瓷的无压烧(shao)结大致也可(ke)分为三个阶(jie)段：

99氧化(hua)铝法兰盘加工

①烧结初期从室温到1000℃之前，坯体的相对密度只从47％增加到62％，变化较小。

②烧结中期。烧烧结温度在1000～150℃之间，坯体的密度迅速提高到96％以上。

③烧结后期。烧结温度高于1150℃，坯体接近致密化。图3－11是材料晶粒生长与烧结温度的关系。

从(cong)图3－11可(ke)看(kan)到，晶粒(li)(li)(li)生(sheng)长可(ke)分为两个阶段。在温(wen)度(du)低于1300℃时，晶粒(li)(li)(li)生(sheng)长比(bi)较(jiao)缓慢；而温(wen)度(du)继续升高时，晶粒(li)(li)(li)迅速(su)生(sheng)长。比(bi)较(jiao)图3－10和图3－11可(ke)以发现，在950～1300℃之间，虽然材料已(yi)基本致密(mi)，但晶粒(li)(li)(li)并未(wei)迅速(su)长大，这与一般(ban)经典(dian)理(li)论(lun)所(suo)说的烧结(jie)末(mo)期晶粒(li)(li)(li)迅速(su)长大似乎不大相符(fu)。

其原因可能是：由于纳米Y－TZP材料在1100℃以上烧结时，晶粒中的Y＋会向晶界析出，并在晶界富集，从而阻止了晶粒长大，因此在一定湿度下，即使在烧结后期，晶粒生长也会受到抑制。有人认为，纳米Y－TZP的烧结中期与后期，晶粒生长指数m都为3，即遵循相同的扩散形式，这也可部分解释图3－11的结果。

较图3－10和图3－11可知，在1150℃时可获得烧结相对密度达97．5％，晶粒大小仅90nm左右的纳米YTZP材料。

氧化锆陶瓷的特殊密度导致了它的优良性能，所以很适合用来加工成各类陶瓷零件。