压力(li)烧(shao)(shao)结(jie)是指在(zai)(zai)加热烧(shao)(shao)结(jie)时(shi)对(dui)(dui)被(bei)烧(shao)(shao)结(jie)体(ti)(ti)施加一定的(de)(de)压力(li)促使(shi)其致(zhi)密(mi)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)的(de)(de)一种烧(shao)(shao)结(jie)方法(fa),这种方法(fa)是无(wu)压烧(shao)(shao)结(jie)的(de)(de)发展。在(zai)(zai)无(wu)压烧(shao)(shao)结(jie)中(zhong),由(you)于温(wen)度(du)是唯一可(ke)控(kong)制(zhi)(zhi)的(de)(de)因(yin)素,因(yin)而(er)对(dui)(dui)材(cai)料致(zhi)密(mi)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)的(de)(de)控(kong)制(zhi)(zhi)相对(dui)(dui)比较(jiao)困难,为了得(de)到(dao)较(jiao)高(gao)(gao)致(zhi)密(mi)度(du),常(chang)需使(shi)用(yong)很高(gao)(gao)温(wen)度(du),结(jie)果导(dao)致(zhi)晶粒(li)过分(fen)长大或异(yi)常(chang)生长,使(shi)烧(shao)(shao)结(jie)体(ti)(ti)性能(neng)下(xia)(xia)降(jiang)。压力(li)烧(shao)(shao)结(jie)是在(zai)(zai)加热的(de)(de)同时(shi)施加压力(li),样(yang)品的(de)(de)致(zhi)密(mi)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)主要依靠在(zai)(zai)外(wai)(wai)加压力(li)作用(yong)下(xia)(xia)物(wu)(wu)质的(de)(de)迁移而(er)完成,故烧(shao)(shao)结(jie)温(wen)度(du)往往比无(wu)压烧(shao)(shao)结(jie)低约200 C或更(geng)多(duo),在(zai)(zai)此情况下(xia)(xia)晶粒(li)几乎(hu)不生长或很少生长,从而(er)得(de)到(dao)接近于理论密(mi)度(du)且(qie)晶粒(li)细(xi)小的(de)(de)致(zhi)密(mi)陶瓷材(cai)料。压力(li)烧(shao)(shao)结(jie)对(dui)(dui)于用(yong)无(wu)压烧(shao)(shao)结(jie)难以(yi)使(shi)其致(zhi)密(mi)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)的(de)(de)非氧(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)物(wu)(wu)陶瓷(如Si3 Ni、SiC等)具有巨大的(de)(de)优越(yue)性。由(you)于这些(xie)非氧(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)物(wu)(wu)陶瓷的(de)(de)表面张(zhang)力(li)小、扩(kuo)散系数(shu)低,故常(chang)压下(xia)(xia)即使(shi)使(shi)用(yong)很高(gao)(gao)的(de)(de)温(wen)度(du)也难以(yi)致(zhi)密(mi)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)。另外(wai)(wai),某些(xie)非氧(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)物(wu)(wu),如Si3 N4在(zai)(zai)一定温(wen)度(du)(1650 C)以(yi)上即分(fen)解,无(wu)压烧(shao)(shao)结(jie)更(geng)为困难,此时(shi)压力(li)烧(shao)(shao)结(jie)便成为最(zui)有力(li)的(de)(de)致(zhi)密(mi)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)手段。
在压力烧(shao)结(jie)过程中,根据加(jia)压方(fang)式的(de)不同,又可分为热压烧(shao)结(jie)和热等静压烧(shao)结(jie),的(de)者(zhe)(zhe)是一种(zhong)单向加(jia)压,后者(zhe)(zhe)则是周向加(jia)压。
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本文“陶瓷压力烧结介绍”由科众陶瓷编辑整理,修订时间:2021-10-19 14:34:29
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