氮(dan)化铝陶瓷是一种导热能力很强的材料，它的热导率系数比较高，所以说它非常适合用作半导体元件中的陶瓷基片，下面是科众陶瓷厂对氮化铝陶瓷基片的分析与介绍。

AlN陶瓷材料成为少数几种具有高导热性能的非金属材料之一。AlN陶瓷基片热导率可达150~230W/(m·K)，是Al2O3的8倍以上。另外，AlN的热膨胀系数为(3.8~4.4)×10-6/℃，与Si、SiC和GaAs等半导体芯片材料热膨胀系数匹配良好。

日本有多家企业研发和生产AlN陶瓷基片，如京陶、日本特殊陶业、住友金属工业、富士通、东芝、日本电气等。制备AlN陶瓷的核心原料AlN粉体制备工艺复杂、能耗高、周期长、价格昂贵，国内的AlN粉体基本依赖进口，原料的批次稳定性、成本也成为国内高端AlN陶瓷基片材料制造的瓶颈。
 

氮化铝陶瓷基片
 

高成(cheng)本(ben)是(shi)(shi)限制(zhi)AlN陶(tao)瓷(ci)广泛(fan)应用的(de)重(zhong)要(yao)因(yin)素，因(yin)此目前AlN陶(tao)瓷(ci)基片主要(yao)应用于高端产业。AlN陶(tao)瓷(ci)导热(re)(re)能(neng)力优秀，它可调整(zheng)的(de)热(re)(re)膨胀系(xi)数，接近硅的(de)热(re)(re)膨胀系(xi)数，几乎不(bu)会引起芯片和基板(ban)之(zhi)间焊料层的(de)热(re)(re)张力。但美中不(bu)足的(de)是(shi)(shi)AIN陶(tao)瓷(ci)不(bu)那么好的(de)力学(xue)性能(neng)使得其(qi)在复(fu)杂的(de)力学(xue)服役(yi)条件下容易发生损(sun)坏。
 

备注：液体散热器适用于(yu)高功率应用，如激光二极管、数据(ju)中心、直接冷却功率模块(kuai)、高亮度LED或太(tai)阳能电(dian)池阵(zhen)列（CPV），冷却效率比传统的液体冷却模块(kuai)结构产生的效率高出4倍以上。氮(dan)化铝层在其中起到的作用是将激光二极管的电(dian)路与冷却水(shui)通道绝缘(yuan)隔离开来。