氧化锆陶瓷等离子(zi)烧结(jie)方法主要通过(guo)温度、压力和时间几个参数控(kong)制烧结(jie)过(guo)程。
但氧化锆陶瓷(ci)在(zai)烧(shao)结升(sheng)(sheng)(sheng)温(wen)过程(cheng)中，加热升(sheng)(sheng)(sheng)温(wen)是依靠(kao)发热体对样本的对流、辐射加热，故(gu)其升(sheng)(sheng)(sheng)温(wen)速率一(yi)般较慢（小(xiao)于50℃/min）。
由于氧化锆陶瓷快速升温对烧结和显微结构的发展有利，人们一直试图获得极高的升温速率。
而高速升(sheng)温(wen)的实(shi)现(xian)用常(chang)规的电加热(re)法是无法实(shi)现(xian)的。
等(deng)离子(zi)体加(jia)热(re)可获得电加(jia)热(re)法所(suo)无法达到的(de)(de)极高的(de)(de)升温速率(lv)。
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本文“氧化锆陶瓷等离子烧结方法”由科众陶瓷编辑整理，修订时间：2015-12-05 08:11:56
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