氧化锆陶瓷试样(yang)制(zhi)备(bei)及(ji)在等离子(zi)体中的加热

　　氧化锆陶瓷用等离午体烧结的(de)试样，目(mu)前多为长柱状或管(guan)状，直径小于(yu)15mm，常用5-lOmm。氧(yang)化锆陶瓷试样可(ke)直接用等静压(ya)制备(bei)，也用浇注法(fa)制备(bei)。

　　氧化(hua)锆陶瓷试样必须(xu)保持干(gan)燥，具备较高强度(du)和素(su)坯(pi)密度(du)。

　　如(ru)氧(yang)化锆陶(tao)瓷(ci)试样(yang)素(su)垤密度过(guo)低，则往往需(xu)要预烧(shao)(shao)并使(shi)其(qi)部分致密化，减少(shao)烧(shao)(shao)成时(shi)收缩(suo)量和开裂(lie)的(de)可能性。

　　氧(yang)化锆陶(tao)瓷试(shi)样(yang)尺寸(cun)不仅受等(deng)(deng)离子体等(deng)(deng)温区大(da)小的限制，实际(ji)上更主要受到(dao)热冲出的制约。

　　由于氧化锆陶瓷样(yang)品推人等离(li)子体(ti)(ti)时，样(yang)品受等离(li)子体(ti)(ti)包裹部分(fen)(fen)有极高的升温速率，而(er)等离(li)子体(ti)(ti)外的样(yang)品则温度基本(ben)没(mei)有上升，故氧化锆陶瓷样(yang)品不同部分(fen)(fen)温差很(hen)大，热冲(chong)击也大。

　　另外(wai)如氧化锆陶瓷(ci)样品(pin)素坯密(mi)度过低(di)，强度低(di)，热胀(zhang)系数过高，则由于热冲击引(yin)起(qi)的应(ying)力和导(dao)致破坏的可能性也大。

　　所以要烧制(zhi)尺寸较大的样(yang)品(pin)，不(bu)仅要有较大的等(deng)离子(zi)区，氧化锆陶瓷样(yang)品(pin)推进速度(du)快(kuai)，还必须制(zhi)得较高(gao)(gao)密度(du)和强度(du)的素坯(pi)样(yang)品(pin)，这对热胀系(xi)数较高(gao)(gao)的材料尤为(wei)如此。

　　等离子体(ti)放电区温(wen)度达数千摄氏度，气体(ti)部分以(yi)离子状态(tai)存在。

　　试(shi)样在放电(dian)区(qu)由于受到(dao)强对(dui)流传热(re)(re)和各种组分（离子(zi)、原子(zi)、电(dian)子(zi)等）在表(biao)面处(chu)冲击．，复合而得(de)以加热(re)(re)。

　　由(you)于等离子体温(wen)度(du)高，热(re)流量大，故升温(wen)速率高，最(zui)高可(ke)达100℃/s，随温(wen)度(du)升高试(shi)样表面的(de)辐射(she)程(cheng)度(du)加剧(ju)，最(zui)终可(ke)达到某一加热(re)与热(re)损(sun)失的(de)平衡并保持一定(ding)温(wen)度(du)。

　　一般的氧化(hua)锆(gao)陶(tao)瓷试样(yang)可达(da)1600-1900℃的温度(du)。由于(yu)气体温度(du)远高于(yu)试样(yang)温度(du)，故试样(yang)温度(du)主(zhu)要与气流情况（气体种类、压(ya)力）及输(shu)入功(gong)率有关。

 　　1600-1900℃是较易达到的(de)(de)温(wen)度(du)，也是较易控(kong)制的(de)(de)温(wen)度(du)区间。更(geng)高温(wen)度(du)时由于(yu)热损失增大难以(yi)进(jin)一步升温(wen)，更(geng)低温(wen)度(du)时对等离子体的(de)(de)控(kong)制和(he)调节不(bu)易。

　　温(wen)度测量一般使用光学温(wen)度计，故温(wen)度测量和控制精(jing)度不佳。