氧化铝陶瓷结(jie)(jie)构(gou)件(jian)的(de)(de)(de)显微结(jie)(jie)构(gou)系(xi)指(zhi)晶(jing)相(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)（主晶(jing)相(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)、次(ci)晶(jing)相(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)）、玻璃相(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)、气相(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)、晶(jing)界(jie)的(de)(de)(de)组(zu)成(cheng)，含量，分(fen)布，形(xing)态，粒度分(fen)布，均(jun)匀度，缺陷，相(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)间物质(zhi)，畴(chou)结(jie)(jie)构(gou)等(deng)的(de)(de)(de)相(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)互组(zu)合关(guan)系(xi)。实际上生产(chan)的(de)(de)(de)氧化(hua)铝陶瓷结(jie)(jie)构(gou)件(jian)一般可达(da)到30-40KV/MM，产(chan)品(pin)的(de)(de)(de)性(xing)(xing)能(neng)标(biao)准与成(cheng)型工(gong)艺有着密切的(de)(de)(de)关(guan)系(xi)，直接影响到自身的(de)(de)(de)性(xing)(xing)能(neng)。想要提(ti)高氧化(hua)铝陶瓷结(jie)(jie)构(gou)件(jian)的(de)(de)(de)质(zhi)量，所以(yi)这就(jiu)很好的(de)(de)(de)联系(xi)到了产(chan)品(pin)的(de)(de)(de)性(xing)(xing)能(neng)标(biao)准，我(wo)们(men)在使用的(de)(de)(de)产(chan)品(pin)的(de)(de)(de)时候(hou)，了解了性(xing)(xing)能(neng)标(biao)准，那么在使用的(de)(de)(de)时候(hou)就(jiu)会更轻松了。

　　1、氧化(hua)铝陶瓷体(ti)积密度：

　　氧化铝(lv)陶(tao)瓷结(jie)构件体积密度与原材料(liao)的选择、制(zhi)瓷工艺有很大(da)的关系。

　　在国(guo)标(biao)GB/T5593－1999规定，要求(qiu)氧化铝陶瓷产(chan)品的体积密(mi)度在3.60g/cm3以上。

　　实际上(shang)，氧化铝陶(tao)瓷的成型(xing)方(fang)法不同，其的密度差异较(jiao)大，通常热压铸和注浆法成型(xing)时，密度为3.60-3.70g/cm3间；

　　等静压成型(xing)时，3.70g/cm3；

　　凝胶法成(cheng)型可达(da)3.73g/cm3。

　　2、氧(yang)化(hua)铝陶瓷气密性：

　　氧化(hua)铝陶(tao)瓷产(chan)品要(yao)求真(zhen)空气密性(xing)很高。

　　在电子行(xing)业(ye)标准(zhun)SJ/T11246中规(gui)定，封接件的(de)漏(lou)气率QK≤1×10－-11PaM3/S，所以就规(gui)定了(le)氧化铝(lv)陶瓷结(jie)构件本身漏(lou)气率也要达到上述标准(zhun)，才(cai)能(neng)满足材(cai)料的(de)相(xiang)关使(shi)用。

　　3、氧(yang)化铝陶瓷介电常数(shu)：

　　氧化铝(lv)陶瓷介(jie)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)常数指(zhi)绝缘(yuan)材(cai)料在交流电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)场下介(jie)质(zhi)(zhi)极(ji)(ji)化程度的(de)(de)一个数值，它是充满绝缘(yuan)材(cai)料的(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)器与以真空为介(jie)质(zhi)(zhi)时(shi)同样电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)尺寸(cun)的(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)器的(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)量的(de)(de)比值。

 　　它代(dai)表(biao)了(le)材料的(de)一种本(ben)身(shen)固有的(de)特性。

　　国标(biao)规定测试频率(lv)为1MHz时，氧化铝陶瓷结构件的(de)介电常(chang)数9－10之(zhi)间。

　　4、氧化(hua)铝陶瓷介(jie)质损耗角正切值(zhi)：

　　氧化(hua)铝陶(tao)瓷介(jie)质损(sun)耗(hao)指绝缘材(cai)料在交流(liu)电(dian)场作用下，发生极化(hua)或吸收现(xian)象，产生的电(dian)能损(sun)失，通常(chang)在介(jie)质材(cai)料上(shang)有发热的现(xian)象。

　　氧(yang)化(hua)铝陶瓷介(jie)质损耗的大小用介(jie)质损耗角的正切值来表(biao)示。

　　国标(biao)GB/T5593－1999规定，频率为1MHz时，氧化铝(lv)陶瓷结构件要求达(da)到4×10－4。

　　5、氧化铝(lv)陶瓷线膨(peng)胀(zhang)系数：

　　氧化(hua)铝陶(tao)瓷在升高单位温度时(shi)的相对伸长就是(shi)平均线膨胀系数，该系数是(shi)氧化(hua)铝陶(tao)瓷结构(gou)件重要(yao)性能指标(biao)之一。

　　国(guo)标GB/T5593－1999规定，测试(shi)温度为(wei)20－500℃，产品为(wei)6.5×10－6－7.5×10－6/℃；测试(shi)温度为(wei)20－800℃时，氧化铝陶瓷结(jie)构件为(wei)6.5×10－6－8×10－6/℃。

　　由于氧化(hua)铝(lv)陶(tao)瓷结构件经(jing)常需要(yao)(yao)与(yu)金属(shu)件进(jin)行(xing)封接(jie)，所以要(yao)(yao)求其(qi)膨胀系(xi)(xi)数(shu)要(yao)(yao)与(yu)金属(shu)材料的(de)膨胀系(xi)(xi)数(shu)匹配。

　　6、氧化铝陶瓷击穿强度：

　　氧(yang)化铝陶瓷绝缘材料击穿强度是指在(zai)外加直流电作用下材料发生的改(gai)变，主(zhu)要由内部结构变化引起。

　　当直流电强度高(gao)到一定值(zhi)后，就促(cu)进材(cai)料内部结构(gou)发生改(gai)变(bian)，出现击穿(chuan)。

　　国(guo)标GB/T5593－1999规定，氧化铝陶(tao)瓷结构(gou)件是在直(zhi)流(liu)情况下(xia)进行耐压(ya)(ya)试验，当在试样(yang)上(shang)施(shi)加直(zhi)流(liu)电压(ya)(ya)，使试样(yang)出现击(ji)(ji)穿，击(ji)(ji)穿电压(ya)(ya)值与(yu)试样(yang)的平(ping)均厚度(du)之比(bi)称为(wei)直(zhi)流(liu)击(ji)(ji)穿强度(du)。

　　单位：KV/MM。国标GB/T5593－1999规定要>18KV/MM。

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