氧化铝陶瓷结构件(jian)的(de)(de)显微结构系指晶相(xiang)（主晶相(xiang)、次(ci)晶相(xiang)）、玻璃(li)相(xiang)、气相(xiang)、晶界(jie)的(de)(de)组成(cheng)，含量(liang)，分布，形态，粒度分布，均匀度，缺陷，相(xiang)间(jian)物质，畴结构等的(de)(de)相(xiang)互组合关(guan)系，实(shi)际(ji)上氧化(hua)铝陶瓷(ci)结构件(jian)一(yi)般可达到(dao)(dao)(dao)30-40KV/MM，氧化(hua)铝陶瓷(ci)产品(pin)的(de)(de)性能(neng)标准与成(cheng)型(xing)工(gong)艺有着(zhe)密切(qie)的(de)(de)关(guan)系直接影(ying)响(xiang)到(dao)(dao)(dao)自身的(de)(de)性能(neng)。所以这(zhei)就(jiu)很好(hao)的(de)(de)联系到(dao)(dao)(dao)了(le)产品(pin)的(de)(de)性能(neng)标准，我们在使(shi)用(yong)的(de)(de)产品(pin)的(de)(de)时候，了(le)解了(le)性能(neng)标准，那么在使(shi)用(yong)的(de)(de)时候就(jiu)会更轻松了(le)。

　　1、氧化铝陶瓷体积密(mi)度：

　　氧(yang)化铝陶瓷结构件(jian)体积(ji)密(mi)度(du)与原材料的选择工(gong)艺有很大的关系。在(zai)国(guo)标GB/T5593－1999规定要求(qiu)氧(yang)化铝陶瓷产品的体积(ji)密(mi)度(du)在(zai)3.60g/cm3以上(shang)。

　　实际上(shang)氧化铝陶瓷(ci)的成(cheng)型方法不同，其的密度(du)差异较大，通常热压铸(zhu)和注浆法成(cheng)型时，密度(du)为3.60-3.70g/cm3间；等静(jing)压成(cheng)型时，3.70g/cm3；凝胶(jiao)法成(cheng)型可达3.73g/cm3。

　　2、氧化铝陶瓷(ci)气密(mi)性(xing)：

　　氧(yang)化铝(lv)陶瓷产品(pin)要求真空气(qi)(qi)密性(xing)很高。在(zai)电子行业标(biao)准(zhun)SJ/T11246中规(gui)(gui)定，封接件的漏气(qi)(qi)率(lv)QK≤1×10－-11PaM3/S，所以就规(gui)(gui)定了氧(yang)化铝(lv)陶瓷结构件本身漏气(qi)(qi)率(lv)也要达到上述标(biao)准(zhun)，才能满足(zu)材料的相(xiang)关使用。

　　3、氧化(hua)铝陶瓷介电常数：

　　介(jie)电(dian)(dian)常(chang)数是指绝缘材(cai)料(liao)在交流电(dian)(dian)场下介(jie)质极化(hua)程度的(de)(de)(de)一个(ge)数值，它是充满绝缘材(cai)料(liao)的(de)(de)(de)电(dian)(dian)容(rong)器与以真空为(wei)介(jie)质时同样电(dian)(dian)极尺寸(cun)的(de)(de)(de)电(dian)(dian)容(rong)器的(de)(de)(de)电(dian)(dian)容(rong)量的(de)(de)(de)比值。它代表(biao)了材(cai)料(liao)的(de)(de)(de)一种本身固有(you)的(de)(de)(de)特性。国(guo)标(biao)规定测(ce)试频率为(wei)1MHz时，氧化(hua)铝(lv)陶瓷结构(gou)件(jian)的(de)(de)(de)介(jie)电(dian)(dian)常(chang)数9－10之间。

　　4、氧化铝(lv)陶(tao)瓷介质(zhi)损耗角正切值：

　　介质(zhi)损(sun)耗指(zhi)绝缘材(cai)料在交(jiao)流电(dian)场作用下，发(fa)生(sheng)极化或吸(xi)收(shou)现(xian)象，产(chan)生(sheng)的电(dian)能损(sun)失，通常在介质(zhi)材(cai)料上有发(fa)热的现(xian)象。介质(zhi)损(sun)耗的大小用介质(zhi)损(sun)耗角(jiao)的正切值来表示。国标(biao)GB/T5593－1999规定，频率为1MHz时，氧化铝(lv)陶瓷结构件要求达到4×10－4。

　　5、氧化铝陶(tao)瓷线膨胀系数：

　　陶(tao)瓷(ci)在升高单位温(wen)度时的相对伸长(zhang)就是(shi)平均(jun)线膨(peng)胀(zhang)系(xi)数，该系(xi)数是(shi)氧化铝(lv)陶(tao)瓷(ci)结构件重要(yao)性能指标(biao)之(zhi)一。国标(biao)GB/T5593－1999规定，测试(shi)温(wen)度为(wei)(wei)20－500℃，产品为(wei)(wei)6.5×10－6－7.5×10－6/℃；测试(shi)温(wen)度为(wei)(wei)20－800℃时，氧化铝(lv)陶(tao)瓷(ci)结构件为(wei)(wei)6.5×10－6－8×10－6/℃。由(you)于氧化铝(lv)陶(tao)瓷(ci)结构件经常需要(yao)与(yu)金属件进行封接，所以要(yao)求其膨(peng)胀(zhang)系(xi)数要(yao)与(yu)金属材(cai)料的膨(peng)胀(zhang)系(xi)数匹配。

　　6、氧化铝陶(tao)瓷击穿强度：

　　绝缘材(cai)(cai)(cai)料击穿(chuan)强(qiang)(qiang)度是指在(zai)(zai)外加(jia)直(zhi)流电作用下材(cai)(cai)(cai)料发(fa)生的改变，主要(yao)(yao)由内(nei)部结(jie)(jie)构变化引起。当直(zhi)流电强(qiang)(qiang)度高到(dao)一(yi)定(ding)值后(hou)，就促进(jin)材(cai)(cai)(cai)料内(nei)部结(jie)(jie)构发(fa)生改变，出现(xian)击穿(chuan)。国(guo)标GB/T5593－1999规定(ding)，氧化铝陶瓷结(jie)(jie)构件是在(zai)(zai)直(zhi)流情况下进(jin)行(xing)耐压试(shi)验，当在(zai)(zai)试(shi)样(yang)上施加(jia)直(zhi)流电压，使试(shi)样(yang)出现(xian)击穿(chuan)，击穿(chuan)电压值与(yu)试(shi)样(yang)的平(ping)均厚度之比称为直(zhi)流击穿(chuan)强(qiang)(qiang)度，单位(wei)：KV/MM。国(guo)标GB/T5593－1999规定(ding)要(yao)(yao)>18KV/MM。

 　　我公司专业(ye)的技(ji)术人员会根据客户产性能要求来(lai)选择氧化铝陶瓷的成型加工方法为(wei)客户提供优惠的价格(ge)来(lai)降低客户的成本。