氮化硅陶瓷基片具有成为高导热基片的潜力，其各种性能也非常强，下面有三种陶瓷基板材料的性能对比，对比可以看出氮化硅陶瓷的一些优势，科众陶瓷厂带大家一起了解下氮化硅陶瓷基片安吧。

氮化硅陶瓷具有硬度大、强度高、热膨胀系数小、高温蠕变小、抗氧化性能好、热腐蚀性能好、摩擦系数小等诸多优异性能，是综合性能最好的结构陶瓷材料。单晶氮化硅的理论热导率可达400w/(m·K)，具有成为高导热基片的潜力。

此外，氮(dan)化(hua)(hua)硅的线膨胀系数与Si、SiC和GaAs等半导体(ti)材(cai)料(liao)匹配良好(hao)，这(zhei)使(shi)氮(dan)化(hua)(hua)硅陶瓷成(cheng)为一种极具(ju)有(you)吸引力的高强高导热(re)电(dian)子(zi)器(qi)件基(ji)板材(cai)料(liao)。氮(dan)化(hua)(hua)硅、氮(dan)化(hua)(hua)铝及(ji)氧(yang)化(hua)(hua)铝陶瓷的力学性(xing)能对比见下表。

 ➣可靠性测(ce)试指的(de)(de)在-40~+150℃条件(jian)下循环，材料(liao)不发生(sheng)破坏的(de)(de)次(ci)数。

 随着电(dian)动力汽(qi)车的流(liu)行，氮(dan)化硅陶瓷基片也将(jiang)迎来发展机遇

带孔陶瓷基片

氮(dan)化(hua)硅陶(tao)瓷(ci)(ci)力(li)学性能(neng)(neng)与(yu)热学性能(neng)(neng)与(yu)高(gao)功率(lv)电(dian)子(zi)基(ji)板(ban)材料的(de)(de)要求完美贴合。Si3N4陶(tao)瓷(ci)(ci)基(ji)片(pian)材料在未来的(de)(de)广阔的(de)(de)市(shi)场前景，引起了国(guo)际(ji)陶(tao)瓷(ci)(ci)企业的(de)(de)高(gao)度重视。而目前全球真(zhen)正将Si3N4陶(tao)瓷(ci)(ci)基(ji)片(pian)用(yong)于(yu)实际(ji)生产电(dian)子(zi)器件的(de)(de)只(zhi)有东芝(zhi)、京瓷(ci)(ci)和罗(luo)杰斯等少数公(gong)司。商用(yong)Si3N4陶(tao)瓷(ci)(ci)基(ji)片(pian)的(de)(de)热导率(lv)一般(ban)在56~90w/(m·K)。以(yi)日(ri)本东芝(zhi)公(gong)司为(wei)例，截止(zhi)2016年已占领了全球70%的(de)(de)氮(dan)化(hua)硅基(ji)片(pian)市(shi)场份额，据报道(dao)其Si3N4陶(tao)瓷(ci)(ci)基(ji)片(pian)产品已用(yong)于(yu)混合动力(li)汽车/纯电(dian)动汽车(HEV/EV)市(shi)场领域。